半导体压力传感器的结构和操作说明

传感器芯片结构

在硅芯片受压部（硅膜片）中，与通常的IC制造工序相同，通过杂质扩散形成硅量规。

当对硅芯片施加压力时，表电阻根据挠度变化，并转换为电信号。（抗磁阻效应）

该量规的特征在于较大的量规系数。（金属规格为2到3，而硅规格为10到100）。

因此，可以获得高输出，从而可以用厚的膜片来制造并且可以改善压力传感器的耐压性。

适用机型

半导体型压力传感器

VDP4，VSW2（低压）等

半导体膜片式压力传感器的结构和操作说明

半导体膜片式压力传感器是直接接触测量介质的高度耐腐蚀的金属膜片（例如Hastelloy C-22或SUS316L），以及通过封闭的硅油检测压力的硅芯片（硅膜片）。 ）被使用。

SUS316L膜片（或Hastelloy C-22等）通过压力入口与测量介质直接接触，从而可以稳定地测量不会浸透的介质（空气，水，油等）。 。[O形圈（氟橡胶）用于在连接螺纹形状为G3 / 8时与管道进行密封。]

特色功能

可以制造可以测量正压力，负压力，复合压力和绝对压力的各种传感器元件。

耐腐蚀性能极佳，因为直接接触介质的受压材料等效于Hastelloy C-22，并且可以用SUS316L制造。

厚厚的硅芯片隔膜可检测压力，因此具有出色的耐压性

适用机型

半导体膜片式压力传感器

VESW，VESX，VESY，VESZ，VHR3，VHG3，VAR3，VAG3，VPRNP，VPNPR，VPNPG，VNF，HS1，HV1，AS1，AV1，NS1，NV1，VESI，VESV，VSW2，VST等

应变片式压力传感器的结构和操作说明

应变片式压力传感器的结构和操作说明

左图所示的电阻桥粘贴在受压部的金属膜片的背面，将因压力而变化的金属膜片的变形量检测为电压变化。

由于在金属膜片表面上存在变形量高低的地方，因此连接了四个电阻，因此，即使变形量存在偏差，也可以正确地检测结构。

特色功能

无缝的隔膜和焊接的O型圈接头，坚固耐用，使用寿命长

高精度，高温（150℃）兼容生产

适用机型

应变片压力传感器

VSD4，NSMS-A6VB，HSSC，HSSC-A6V，VHS，VHST，HSMC2，HSMC，VPE，VPB，VPRT，VPRTF，VPRQ，VPRQF，VPVT，VPVTF，VPVQ，VPVQF，VPRF，VFM，VF ，VFS，VTRF，VPRF2，VPRH2等。

薄膜型压力传感器的结构和操作说明

薄膜型压力传感器的结构和操作说明

我们的薄膜型压力传感器是隔膜型，并使用金属规格的薄膜。当从压力入口施加压力时，膜片变形，并且检测到当在膜片上形成的金属规薄膜变形时发生的电阻变化。

与应变计压力传感器相比，可以获得高灵敏度的输出，并且温度系数小于半导体压力传感器的温度系数。

特色功能

恒定的温度系数，具有出色的温度特性

长期稳定的输出，几乎没有长期变化

能够处理高温（200°C）

适用机型

VSW2

测量原理

当输入端有电流流动并且在金属量规薄膜上施加压力并发生变形时，它表现为输出侧电信号的变化。